贴片电容介质强度介绍

贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量十分安稳，几乎不随温度、电压和时刻的变化而变化，首要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度首要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对安稳，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度首要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。 不同品种的电容器，更高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。 以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时刻变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度首要为Z档(+80～-20)，也可挑选±20精度的产品。 贴片电容 贴片电容介质强度表征的是介质资料接受高强度电场效果而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表明.当外电场强度到达某一临界值时,资料晶体点阵中的电子克服电荷康复力的捆绑并出现场致电子发射,发生出足够多的自由电子彼此磕碰导致雪崩效应,从而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种形式,高压负荷下发生的热量会使介质资料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时刻,将会在介质单薄的部位上发生漏电流.这种形式与温度密切相关,介质强度随温度进步而下降。

贴片电容应用领域的发展

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