钽电容器的材料与封装

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

常在电路设计中使用的电容器

由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。因此，铝电解不宜离热源太近。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响。 由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。 我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。铝电容器是由铝箔槽氧化后，再绕绝缘层，再浸入电解液中制成。它的原理是化学原理，充放电依赖于化学反应。电容对信号的响应速度受电解液中带电离子运动速度的限制，在低频（1m）电渣重熔中通常采用铝电阻和电解液等效电阻之和，且数值较大。铝电容器的电解液会逐渐挥发，导致容量下降甚至失效，蒸发速度随着温度的升高而加快。温度每升高10度，寿命就会减半。如果电容器在27℃室温下使用10000小时，在57℃下只能使用50小时。因此，铝电解不宜离热源太近。 陶瓷电容器是通过物理反应来储存电能的，因此具有很高的响应速度，可以应用于G的场合，但是由于介质的不同，陶瓷电容器也表现出很大的差异。性能好的是c0g材料的电容，温度系数小，但材料的介电常数小，所以电容值不能太大。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响（直流电压会引起材料的极化，降低电容）。