钽电容器的材料封装

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

铝电解电容工作介质及结构的介绍

铝电解电容器的工作介质是通过阳极氧化在铝箔表面形成一层非常薄的三氧化铝。铝电解电容器的阳极铝箔和阴极铝箔通常是被腐蚀的铝箔，实际比表面积大得多，这也是铝电解电容器通常具有较大电容的原因之一。由于铝电解电容器的介质氧化膜是通过阳极氧化得到的，其厚度与阳极氧化所施加的电压成正比，因此，在原则上，铝电解电容器的介电层厚度可以人工精确地控制。 铝电解电容器在结构上表现出明显的特点： 铝电解电容器的工作介质是通过阳极氧化在铝箔表面形成一层非常薄的三氧化铝(Al2O3)。氧化物介质层和电容器阳极结合成一个完整的系统，两者相互依存，不能相互独立；电容器的电极和介电是相互独立的。 铝电解电容器的阳极是铝箔，在铝箔表面形成Al2O3介电层。阴极不是我们所认为的负箔，而是电容器的电解质。 负极箔在电解电容器中起着电的作用，因为电解液作为电解电容器的阴极，不能直接连接到外部电路，必须通过另一个金属电极和电路的其他部分形成一条电通路。 铝电解电容器的阳极铝箔和阴极铝箔通常是被腐蚀的铝箔，实际比表面积大得多，这也是铝电解电容器通常具有较大电容的原因之一。由于使用了许多微腐蚀孔的铝箔，通常需要液体电解液才能更有效地利用其实际电极面积。 由于铝电解电容器的介质氧化膜是通过阳极氧化得到的，其厚度与阳极氧化所施加的电压成正比，因此，在原则上，铝电解电容器的介电层厚度可以人工精确地控制。