陶瓷电容和电解电容的差异
陶瓷电容器是用陶瓷材料在陶瓷表面涂上一层金属薄膜，然后经高温烧结而成的。在高稳定性振荡电路中，陶瓷电容器主要用作回路和极板电容器，起到滤波、去耦和信号耦合的作用。用于高压和高频电路中。陶瓷电容器无极性，等效串联电感小。陶瓷电容器具有良好的高频特性，主要用于高频电路中。陶瓷电容器能滤除高频纹波，可作为高通滤波器。 陶瓷电容器是用陶瓷材料在陶瓷表面涂上一层金属薄膜，然后经高温烧结而成的。在高稳定性振荡电路中，陶瓷电容器主要用作回路和极板电容器，起到滤波、去耦和信号耦合的作用，具有容量小、耐压高、稳定性好等优点。用于高压和高频电路中。陶瓷电容器无极性，等效串联电感小。陶瓷电容器具有良好的高频特性，主要用于高频电路中。陶瓷电容器能滤除高频纹波，可作为高通滤波器，可用于纯交流电路。 电解电容器是以金属箔（铝/钽）为正极，绝缘氧化层（氧化铝/五氧化二钽）为介质，导电材料、电解液等材料为阴极制成的电容器。电解电容器主要用于中低频电路的滤波、去耦、信号耦合、时间常数整定、直流隔离等功能。电解电容器容量大，但不耐高压，容量不稳定，使用寿命短。用于低压和低频电路中。电解电容器具有等级和等效串联电感大的特点。
半导体陶瓷电容器材料的特性
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
