钽电容器的改进

传统钽电容器的ESR主要来源于正极材料MnO2。相反，聚等导电聚合物的电导率在100S/cm范围内，电导率的增加直接转化为ESR的显著下降。不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器用聚合物阴极系统的优点，通过直接比较MnO2的ESR-频率曲线和A壳6.3V/47μF额定值条件下的聚合物设计，可以看出，在100kHz频率下，聚合物设计可使ESR降低一个数量级。引线框架材料是另一个可以通过切换到更高电导率的材料来改善ESR的领域。 传统钽电容器的ESR主要来源于正极材料MnO2。MnO2的电导率约为0.1s/cm。相反，聚(3，4-乙烯二氧噻吩)等导电聚合物的电导率在100S/cm范围内，电导率的增加直接转化为ESR的显著下降。 不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器用聚合物阴极系统的优点，通过直接比较MnO2的ESR-频率曲线和A壳6.3V/47μF额定值条件下的聚合物设计，可以看出，在100kHz频率下，聚合物设计可使ESR降低一个数量级。 8不同材料的电导率 引线框架材料是另一个可以通过切换到更高电导率的材料来改善ESR的领域。如图3中的电容横截面所示，引线框架提供了从内部电容器元件到封装外部的电气连接。 Fe-Ni合金(如Alloy42)一直是引线框架材料的传统选择。这些合金的优点包括：热膨胀系数(CTE)低，成本低，易于制造。铜引线框架材料加工工艺的改进，使其可用于钽电容设计。由于ESR的电导率是Alloy42的100倍，所以铜的使用对ESR有重要的影响。例如，使用A壳(EIA3216)和传统引线框架的Vishay100μF/6.3VT55聚合物钽电容器在100kHz和25°C下提供了70mΩ的大ESR，通过更换铜引线框架，大ESR可降至40mΩ。 钽电容紧凑型和提高钽电容设计体积效率(电容密度)的两个主要因素是钽粉的演变和包装的改进。

贴片电容介质强度介绍

贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量十分安稳，几乎不随温度、电压和时刻的变化而变化，首要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度首要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对安稳，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度首要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。 不同品种的电容器，更高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。 以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时刻变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度首要为Z档(+80～-20)，也可挑选±20精度的产品。 贴片电容 贴片电容介质强度表征的是介质资料接受高强度电场效果而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表明.当外电场强度到达某一临界值时,资料晶体点阵中的电子克服电荷康复力的捆绑并出现场致电子发射,发生出足够多的自由电子彼此磕碰导致雪崩效应,从而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种形式,高压负荷下发生的热量会使介质资料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时刻,将会在介质单薄的部位上发生漏电流.这种形式与温度密切相关,介质强度随温度进步而下降。