钽电容器的材料封装
CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。
三端电容正确的使用方法
当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。穿孔电容器与面板焊接时，由于穿透电容器的热容与面板的热容相差较大，焊接局部温度过高，会损坏电容器。 当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。 三端电容器的缺点：虽然三端电容器的滤波效果优于普通电容器，但制约其高频效应的因素有两个，一是引线间的寄生电容耦合，二是接地线的电感。因此，三端电容器的滤波效果一般在300MHz以下。另外，三端电容器只能安装在电路板上，不可避免地导致高频泄漏。为了彻底解决宽带滤波的问题，我们应该使用穿孔电容器。 穿芯电容器本质上是一个三端电容器。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。通过电容器的滤波范围可以达到几GHz以上。 小接地电感：当通过电容器的外部客户在360°范围内与面板连接时，连接电感很小。因此，在高频率下，它可以提供良好的旁路效果。 输入输出之间没有耦合：安装过芯电容器的金属板起到隔离板的作用，有效地隔离了滤波器的输入和输出端，避免了高频下的耦合现象。
