钽电容分类
高能钽电容 高能钽电容器是一种新型的钽电容器，全钽外壳，激光焊接封装，密封性好，可靠性高。该类型产品能量密度大，具有极高的容积比，一只产品可发挥十几只等体积产品的功能，在电子整机设备的小型化和轻量化中有极大应用价值。目前，该产品系列已列入总装十一五型谱项目，相关制造技术已经获得国家专利。 涵盖型号：CAK38T-1、CAK38T-2、CAK38T-3、CAK38T、THC1、THC2、THC1W、THC2W、THCL、THCZ、CAK38Z典型产品：THC1、CAK38T-3、THC1W树脂封装固体电解质钽电容器该系列产品采用MnO2做电解质，外用环氧树脂封装，产品体积小，抗振动能力强，温度特性好，安装方便，可在集成电路中大量应用，产品主要有两种封装形式，已经成为钽电容器主要发展方向之一-。产品生产线已通过国军标认证。 型号系列:CAK45、CAK45L、CAK4 、JCA45、CA42、CA421、CA52、CA721典型产品:CAK45、CA42片式高分子聚合物钽电容器该系列产品采用导电高分子聚合物做电解质，外用环氧树脂封装，产品体积小，抗振动能力强，温度特性好，安装方便，可在集成电路中大量应用，已经成为钽电容器主要发展方向之--。产品生产线已通过国军标认证。型号系列:CAK55、CAK55H。 典型产品:CAK55、CAK55H 瓷介电容器 该系列产品有多种封装形式（如环氧树脂涂覆或模压包封），方形。具有较低ESR、ESL优点可无极性安装。适用于高频开关电源、输出/输入滤波和电源总线滤波等。 型号系列：CT4243、CT43、CT4546、CT47 高温系列钽电容器 金属银外壳钽电容器：半密封、全密封、组合式钽外壳钽电容器：气密封固体电容器：树脂封装金属银外壳钽电容器该系列产品银外壳封装、圆柱形、轴向引出、外套高温绝缘套管、有极性，高温性能好，具有极好的抗震性能。适用于石油测井、钻井等耐高温电子设备的直流或脉动电路。 全密封产品：CA82A、CA82、CA83、CA53D(可替代VISHAY公司135D)、CA53(可替代VISHAY公司135D)；半密封产品：CA501S、CA501、CA502、CA503、CA306组合式高温产品由于结构紧凑、安装方便、电性能优良等优点越来越受到高温产品客户欢迎。目前已生产的产品电压组有90V、160V、200V、240V、270V、300V、360V和600V系列。 高温系列全钽电容器 该系列产品能量密度大、体积小，可靠性高，抗震能力强，主要用于高温环境下（175℃~200℃）工作的电子仪器及设备中，如航空航天设备和石油勘探设备等。 全密封系列：CA385、CA386、CA58A、CA58B 典型产品：CA386、CA58A 高温系列固体钽电容器 该系列产品是树脂模压封装，体积小、重量轻、电性能优良，可在150℃下使用。 适用于高温电子设备的表面贴装电路，如汽车发动机、石油钻井等。 典型产品：CA45H
纹波电流对铝电解电容器的影响
实验发现，用于开关电源输出滤波的普通cdii4700μF、16V电解电容器纹波和峰值不低于cd03hf4700μF、16V高频电解电容器，普通电解电容器温升相对较高。当负载突变时，普通电解电容器的暂态响应要比高频电解电容器差得多。纹波电流对铝电解电容器的主要影响是在电渣重熔过程中产生电耗，使铝电解电容器发热，从而缩短其使用寿命。为了减小纹波电流，可以采用容量较大的铝电解电容器。对于平板电视，为了承受大电流，有必要进一步降低电容的ESR。 实验发现，用于开关电源输出滤波的普通cdii4700μF、16V电解电容器纹波和峰值不低于cd03hf4700μF、16V高频电解电容器，普通电解电容器温升相对较高。当负载突变时，普通电解电容器的暂态响应要比高频电解电容器差得多。 为了达到高效率，开关电源提高了工作频率的高频度，特别是在小型高输出开关电源中，输入滤波电容要求高纹波和低输出阻抗。为了使输出滤波电容器高频低阻抗，必须减小等效串联电阻。 纹波电流是影响电解电容器性能的重要参数之一。纹波电流对铝电解电容器的主要影响是在电渣重熔过程中产生电耗，使铝电解电容器发热，从而缩短其使用寿命。从特性曲线可以看出（图中所示为电渣重熔时纹波电流产生的损耗与纹波电流有效值的平方成正比。因此，随着纹波电流的增大，每小时寿命曲线近似于抛物线函数曲线。为了减小纹波电流，可以采用容量较大的铝电解电容器。毕竟，大容量铝电解电容器所能承受的纹波电流要大于小容量铝电解电容器；也可以并联多个小容量铝电解电容器，并可选择低纹波电流电路拓扑。一般来说，反激式变换器产生的开关电流相对大。 对于平板电视，为了承受大电流，有必要进一步降低电容的ESR。究其原因，是在数字设备中，随着功能的增加，电路的电流有增大的趋势。对于液晶电视MPEG编解码的图像处理电路，2006年芯片中电源电路的电流约为3a。据相关人士预测，在增加电路规模以满足全高清（FullHD）的要求后，芯片中的电流将增加到 左右，2008年左右将达到8A~9A。
