独石电容的结构与材料
容器广泛应用于电子精密仪器中。各种小型电子设备用于谐振、耦合、滤波、旁路。简单平行板电容器的基本结构是由绝缘中间介质层和两个导电金属电极组成。这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产大容量、大比容量和高标称容量的电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，其容量和损耗对温度、电压和其他测试条件都很敏感。 单石电容器是多层陶瓷电容器的昵称。单层陶瓷电容器或多层陶瓷电容器广泛应用于电子精密仪器中。各种小型电子设备用于谐振、耦合、滤波、旁路。 简单平行板电容器的基本结构是由绝缘中间介质层和两个导电金属电极组成。因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三部分：陶瓷介质、金属内电极和金属外电极。多层片状陶瓷电容器是一种多层叠加结构，简言之，它是由多个简单平行板电容器组成的。 单石电容器分为温度补偿型NPO介质，其电性能稳定，基本不随温度、电压和时间变化，属于超稳定、低损耗电容器材料类型，适用于高频电路，具有较高的稳定性和可靠性。 二类是具有高介电常数的X7R介质。由于X7R是一种强介电常数，所以可以制造出容量大于NPO介质的电容器。该电容器性能稳定，其独特的性能随温度和电压时间的变化而变化不大。它属于稳定电容器材料，适用于直接隔离、耦合、侧电路、滤波电路和中高频电路，具有较高的可靠性要求。 这三种类型是半导体Y5V介质。这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产大容量、大比容量和高标称容量的电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，其容量和损耗对温度、电压和其他测试条件都很敏感。它主要用于电子机的振荡、耦合、滤波和旁路电路。
半导体陶瓷电容器材料的特性
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
