电解电容的分类与差异
电解电容器的基本结构是外有铝壳，充满电解液，形成两个正负极，构成电解的基本结构。其主要功能是滤波，即减小纹波、稳定电流，广泛应用于开关电源和其他产品中。其工作过程可以理解为充放电过程，因此不消耗理想的电解电容器的能量。没有能源消耗意味着它不会发热，但实际电容会升温，这是由于存在内阻。铝电解电容器在频率高于某一特定条件时会产生谐振。 电解的基本结构是外有铝壳，充满电解液，形成两个正负极，构成电解的基本结构。其主要功能是滤波，即减小纹波、稳定电流，广泛应用于开关电源和其他产品中。其工作过程可以理解为充放电过程，因此不消耗理想电解的能量。没有能源消耗意味着它不会发热，但实际会升温，这是由于存在内阻。 目前，电解电容器主要有两大类，一类是铝电解，另一类是钽电解，两者的主要区别是阳极材料不同，是比较常用的电解，作为电解电容器，其容量一般在1μF以上，但容量为1μF的电容不一定是电解电容器，但还有其他，如单石电容器、聚酯电容器等。 一般的电解电容，比铝电解电容使用得多，这种电容容量大，容易漏电，适合滤波，但这种电容内阻较大，如以下是电容等效电路图，其中RC为漏阻，Ln为寄生电感，Rn为其它原因引起的损耗电阻。 铝电解电容器在频率高于某一特定条件时会产生谐振。在此之前，电容会出现，超过这个频率，就会有灵敏度。因此，在我们实际电路中，如果频率不高，工作频率一般小于电容本身谐振频率的1≤10。此时，我们可以忽略电容寄生效应对电路的影响。 高频电解电容器与普通电解电容器相比较，顾名思义，这种电容适用于高频场合，高频电容不能像普通电解电容那样大，高频电容适用于高频电路，如开关电源滤波器、开关电源中的输出滤波电解电容器，其输出电压频率高达几十千赫，甚至几十兆赫的普通电解电容。在这种频率下，高频电容在很长一段时间内都是感性的，但高频电容在滤波中可以发挥很好的作用。
半导体陶瓷电容器材料的特性
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
