贴片电容介质强度介绍

贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量十分安稳，几乎不随温度、电压和时刻的变化而变化，首要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度首要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对安稳，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度首要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。 不同品种的电容器，更高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。 以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时刻变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度首要为Z档(+80～-20)，也可挑选±20精度的产品。 贴片电容 贴片电容介质强度表征的是介质资料接受高强度电场效果而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表明.当外电场强度到达某一临界值时,资料晶体点阵中的电子克服电荷康复力的捆绑并出现场致电子发射,发生出足够多的自由电子彼此磕碰导致雪崩效应,从而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种形式,高压负荷下发生的热量会使介质资料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时刻,将会在介质单薄的部位上发生漏电流.这种形式与温度密切相关,介质强度随温度进步而下降。

钽电容设计尺寸减小的因素

高效封装技术的发展是降低钽电容器设计尺寸的重要因素。在工业中常用的包装技术是引线框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生产能力。对于与空间无关的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。map结构消除了现有电流环的机械引线框架，大大减小了电流环的尺寸。通过小化电流回路，可以显著降低ESL。ESL的减小对应于自谐振频率的增加，从而扩大了电容器的工作频率范围。 8高效封装技术的发展是降低钽电容器设计尺寸的重要因素。在工业中常用的包装技术是引线框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生产能力。对于与空间无关的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以增加密度为主要设计标准的电子系统中，减小元件尺寸的能力是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。如图5所示，与标准引线框架结构相比，无引线设计可以提高体积效率。通过减小提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以使用额外的可用空间来增大电容元件的尺寸，从而增大电容和/或电压。 在新一代的封装技术中，Vishay的专利多阵列封装（map）结构通过在封装末端使用金属化层提供外部连接，进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容器元件在可用体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明容积效率的提高，见图6。从图中可以明显看出，电容器元件的体积增加了60%以上。这种增加可用于优化设备，以增加电容和/或电压，降低DCL并提高可靠性。 Vishal的另一个优点是减小了结构的尺寸。map结构消除了现有电流环的机械引线框架，大大减小了电流环的尺寸。通过小化电流回路，可以显著降低ESL。如图7所示，与标准引线框架结构相比，这种减少可以达到30%。ESL的减小对应于自谐振频率的增加，从而扩大了电容器的工作频率范围。