如何用万用表检测贴片稳压二极管？

首先贴片稳压二极管正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。 在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测贴片稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。

半导体的基本物理特性

半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变纯半导体的电阻。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。 半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。温度的细微变化可以反映在半导体电阻的明显变化上。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。 半导体的电阻对光的变化非常敏感。当有光的时候，电阻很小；没有光的时候，电阻很大。例如，常用的硫化镉光阻，当没有光时，电阻高达几十兆。当暴露在光下时，电阻突然下降到几十千欧姆，电阻值变化了数千倍。许多光电器件，如光电二极管、光电晶体管和硅光电电池，都是利用半导体的光敏特性制造的。它们广泛应用于自动控制和无线电技术中。 在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变其电阻。例如，将人添加到纯硅中。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。在里面。也就是说，硅的导电能增加了50多万倍。它是通过人为地、精确地控制半导体的导电能力而加入一些特定的杂质元素来制造不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件都是由含有特定杂质的半导体材料制成的。