陶瓷介电电容器的介质及性质

顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷介电电容器或单石电容器。顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可将电容器分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。 由于陶瓷电容的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性和不易老化性。陶瓷电容器能抵抗酸碱腐蚀和盐腐蚀，腐蚀性能好。低压陶瓷电容的介电常数大，体积小，容量大。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和较高的耐压性能。陶瓷电容器基本上不随温度、电压、时间等变化而变化。 具有表面层的陶瓷电容器的小型化，即电容器可以在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对于电容器元件的分离，有两种基本的小型化方法：(1)尽可能提高介电材料的介电常数；(2)尽量减小介电层厚度。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易造成各种显微组织缺陷，生产过程非常困难。

独石电容和瓷片电容在特性上的区别

单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷电容的替代名称，单石电容由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，陶瓷电容分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石电容高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石电容低。由于单石电容和陶瓷芯片电容的特性不同，单石电容的应用寿命不一样。 高压陶瓷电容器的使用主要分为输变电、配电系统电源设备和脉冲能量处理设备。 单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷的替代名称，由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 外形上的区别是单石电容实际上是烧结的陶瓷片式，一般为方形，陶瓷片状电容主要是片状；在相同体积下，单个石材的容量大得多，陶瓷芯片的电压电阻比单石大得多。 单石的特点是：容量大，稳定性好，容量范围为10pF≤10uF，体积小，比CBB体积小，耐高温保湿性能好，温度漂移系数小。 陶瓷的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石低。 由于单石和陶瓷芯片的特性不同，单石的应用寿命不一样，主要应用于液晶表、电子相机、微型仪器、医疗仪器、电子调谐器等领域，而陶瓷芯片的应用主要集中在高频振荡电路、旁路和解耦等方面。