东莞市保沃电子有限公司

主营:功率电感贴片电容贴片电阻

第6年

基本信息 更多>>
普通会员6

东莞市保沃电子有限公司

联系人:

【联系时请说明来自塑胶五金网】

手机:

QQ:

联系地址:

主页:http://dgbaowo.sjwj.com

产品分类 更多>>
全部产品
贴片电容
贴片电阻
贴片电感
功率电感
贴片磁珠
贴片钽电容
功率电阻
贴片排阻
您的位置: 首页 > 产品展示 > 产品详情
产品展示
产品名称: 肇庆贴片电阻-保沃电子元件-金属膜电阻贴片
浏览量:
价格:
供货总量:
规格:
更新日期: 2021年04月21日,有效期:360天
关键字: 热敏贴片电阻 可调电阻贴片 焊贴片电阻 贴片电阻选型 超低阻值贴片电阻 排式贴片电阻
联系人:
联系电话:
即时通讯: 点击这里给我发消息
详情信息

磁珠的性能及其特性

铁氧体抑制元件广泛应用于印刷电路板、电力线和数据线。铁氧体磁环或磁球特别用于抑制信号线和电源线上的高频干扰和峰值干扰,还具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。磁珠的频率和阻抗的特征曲线一般都是以100兆赫为基础的,例如1000R≤100MHz,这意味着磁珠的阻抗相当于100MHz下的600欧姆。不同的铁氧体抑制元件有不同的佳抑制频率范围。此外,铁氧体体积越大,缓蚀效果越好。然而,在直流或交流偏压的情况下,仍然存在铁氧体饱和问题。 铁氧体抑制元件广泛应用于印刷电路板、电力线和数据线。如果在印刷电路板的电源线入口添加铁氧体抑制元件,则可滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁球特别用于抑制信号线和电源线上的高频干扰和峰值干扰,还具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。 两种元素的数值大小与磁珠的长度成正比,磁珠的长度对抑制效果有明显的影响,磁珠的长度越长,抑制效果越好。 要特别注意磁珠的单位是欧姆,而不是亨特。因为磁珠的单位是按它在某一频率产生的阻抗而标称的,所以阻抗的单位也是欧姆的。磁珠的频率和阻抗的特征曲线一般都是以100兆赫为基础的,例如1000R≤100MHz,这意味着磁珠的阻抗相当于100MHz下的600欧姆。 普通滤波器由无损耗电抗元件组成。它在线路上的作用是将阻带频率反射回信号源,因此这种滤波器也称为反射滤波器。当反射滤波器与信号源的阻抗不匹配时,部分能量将被反射回信号源,从而增强干扰电平。为了解决这一问题,可以在滤波器的输入线上使用铁氧体磁环或磁珠套,利用高频信号的涡流损耗将高频分量转化为热损失。因此,磁环和磁珠实际上吸收高频成分,因此有时被称为吸收滤波器。 不同的铁氧体抑制元件有不同的佳抑制频率范围。通常,渗透率越高,抑制频率越低。此外,铁氧体体积越大,缓蚀效果越好。当体积恒定时,长、薄形状的抑制效果好于短、厚的抑制效果,内径越小,抑制效果越好。然而,在直流或交流偏压的情况下,仍然存在铁氧体饱和问题。抑制元件的截面越大,越不易饱和,偏置电流也就越大。

mos管正确选择的步骤

正确选择MOS管是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的大电压,即大VDS。知道MOS管能承受的大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 二步:确定额定电流 二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流,只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

首页
电话
留言
联系

X 点击这里给我发消息
您有什么事儿找我?