陶瓷电容器的介电常数

陶瓷电容器又称陶瓷或单片电容器。顾名思义，陶瓷介电是用陶瓷介质材料制成的。按结构可分为图像、管形、矩形、片式、过流电容器等。低压陶瓷具有介电常数大、体积小、容量大的特点。分离电容模块的小型化有两种基本方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层厚度尽可能薄。首先，铁电陶瓷薄时易破碎，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷或单片电容器。顾名思义，陶瓷介电是用陶瓷介质材料制成的。根据陶瓷材料的不同，可分为低频陶瓷1～300pf和高频陶瓷300～22000pf两种。按结构可分为图像、管形、矩形、片式、过流等。 由于陶瓷电容器的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性，不易老化，耐酸、碱、盐腐蚀，具有良好的耐腐蚀性。低压陶瓷具有介电常数大、体积小、容量大的特点。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和耐高压性能，不随温度、电压、时间等变化。 半导体陶瓷电容器，表层陶瓷电容器。电容器的小型化意味着电容器可以在小的体积内获得大的容量，这是电容器的发展趋势之一。分离电容模块的小型化有两种基本方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层厚度尽可能薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难变薄。首先，铁电陶瓷薄时易破碎，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易产生各种结构陷，因此生产过程非常困难。

陶瓷介电电容器的陶瓷材料

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。