半导体陶瓷电容器材料的特性
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
铝电解电容工作介质及结构的介绍
铝电解电容器的工作介质是通过阳极氧化在铝箔表面形成一层非常薄的三氧化铝。铝电解电容器的阳极铝箔和阴极铝箔通常是被腐蚀的铝箔，实际比表面积大得多，这也是铝电解电容器通常具有较大电容的原因之一。由于铝电解电容器的介质氧化膜是通过阳极氧化得到的，其厚度与阳极氧化所施加的电压成正比，因此，在原则上，铝电解电容器的介电层厚度可以人工精确地控制。 铝电解电容器在结构上表现出明显的特点： 铝电解电容器的工作介质是通过阳极氧化在铝箔表面形成一层非常薄的三氧化铝(Al2O3)。氧化物介质层和电容器阳极结合成一个完整的系统，两者相互依存，不能相互独立；电容器的电极和介电是相互独立的。 铝电解电容器的阳极是铝箔，在铝箔表面形成Al2O3介电层。阴极不是我们所认为的负箔，而是电容器的电解质。 负极箔在电解电容器中起着电的作用，因为电解液作为电解电容器的阴极，不能直接连接到外部电路，必须通过另一个金属电极和电路的其他部分形成一条电通路。 铝电解电容器的阳极铝箔和阴极铝箔通常是被腐蚀的铝箔，实际比表面积大得多，这也是铝电解电容器通常具有较大电容的原因之一。由于使用了许多微腐蚀孔的铝箔，通常需要液体电解液才能更有效地利用其实际电极面积。 由于铝电解电容器的介质氧化膜是通过阳极氧化得到的，其厚度与阳极氧化所施加的电压成正比，因此，在原则上，铝电解电容器的介电层厚度可以人工精确地控制。
