钽电容设计尺寸减小的因素

高效封装技术的发展是降低钽电容器设计尺寸的重要因素。在工业中常用的包装技术是引线框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生产能力。对于与空间无关的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。map结构消除了现有电流环的机械引线框架，大大减小了电流环的尺寸。通过小化电流回路，可以显著降低ESL。ESL的减小对应于自谐振频率的增加，从而扩大了电容器的工作频率范围。 8高效封装技术的发展是降低钽电容器设计尺寸的重要因素。在工业中常用的包装技术是引线框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生产能力。对于与空间无关的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以增加密度为主要设计标准的电子系统中，减小元件尺寸的能力是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。如图5所示，与标准引线框架结构相比，无引线设计可以提高体积效率。通过减小提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以使用额外的可用空间来增大电容元件的尺寸，从而增大电容和/或电压。 在新一代的封装技术中，Vishay的专利多阵列封装（map）结构通过在封装末端使用金属化层提供外部连接，进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容器元件在可用体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明容积效率的提高，见图6。从图中可以明显看出，电容器元件的体积增加了60%以上。这种增加可用于优化设备，以增加电容和/或电压，降低DCL并提高可靠性。 Vishal的另一个优点是减小了结构的尺寸。map结构消除了现有电流环的机械引线框架，大大减小了电流环的尺寸。通过小化电流回路，可以显著降低ESL。如图7所示，与标准引线框架结构相比，这种减少可以达到30%。ESL的减小对应于自谐振频率的增加，从而扩大了电容器的工作频率范围。

贴片电容的正向变换器介绍

一些电路波形，上面绣Q1的漏极电压，中央线电压节点通过D1和D2，D1的底线。在该行的顶部，你可以看到当Q1导通，漏极电压降低到低于输入电压，使D1，二极管电流增加。如果D2不反向恢复电荷的功能，当D1电流等于输出电流，电压会上升。因为D2反向恢复电荷的功能，所以D1电流将进一步增加，它开始消耗的电荷。电荷一旦耗尽，二极管是封闭的，从而增加为了进一步提高节点的电压。请注意，电流将增加，直到节点电压等于输入电压到目前为止由于反射，泄漏电感两端的正电压。随着电流，电流的寄生电容充电电路，振铃和损失，导致更多的。 这些振铃波形可能不被接受，因为他们可能会引起干扰或电压二极管不可接受的应力问题。RC缓冲器被连接到D2可以大大减少振铃几乎不影响的效率。可以使用以下公式计算的振铃频率： 但是你怎么知道在电路值L和C？诀窍是在D2中加入已知电容的电容值的结果降低了振铃频率，所以你得到两个方程两个未知数。如果你添加的电容器可以减少一半的振铃频率，然后计算的价值变得更轻松。为了减少一半的频率，电容，你需要一个4次你使用的寄生电容。然后，只要加入3的电容可以寄生电容。在D2470pF电容两端的一振铃波形的频率的一半的频率。因此，该电路具有一个约150pf寄生电容。请注意，只是添加电容环上的振幅效果是非常小的，该电路还需要一些抗阻尼环。这是另一个好的开始。如果你选择适当的电阻，因此热敏电阻可以提供良好的阻尼效果，效率，同时低限度的影响。的阻尼电阻的佳值几乎是平价寄生元件的典型性。