贴片电容介质强度介绍

贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量十分安稳，几乎不随温度、电压和时刻的变化而变化，首要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度首要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对安稳，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度首要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。 不同品种的电容器，更高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。 以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时刻变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度首要为Z档(+80～-20)，也可挑选±20精度的产品。 贴片电容 贴片电容介质强度表征的是介质资料接受高强度电场效果而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表明.当外电场强度到达某一临界值时,资料晶体点阵中的电子克服电荷康复力的捆绑并出现场致电子发射,发生出足够多的自由电子彼此磕碰导致雪崩效应,从而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种形式,高压负荷下发生的热量会使介质资料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时刻,将会在介质单薄的部位上发生漏电流.这种形式与温度密切相关,介质强度随温度进步而下降。

电容器的寿命与损坏

一般来说，比率越高，电解电容器的寿命越短。当流经电解电容器的电流为额定电流的3.8倍时，电解电容器一般损坏。电容器的额定电流与额定电流之比是施加在电容器上时额定电流的0.3倍。为了获得较小的脉冲系数，所需的电容量高达数十万微法。因此，普通铝电解用于低频容器制造的主要目的是提高电容。电容、损耗角正切和漏电流是判断其优缺点的主要参数。 电容器的寿命一般是指电容器在环境温度为5℃时的耐电流比试验。一般来说，比率越高，电解电容器的寿命越短。当流经电解电容器的电流为额定电流的3.8倍时，电解电容器一般损坏。电容器的额定电流与额定电流之比是施加在电容器上时额定电流的0.3倍。 对于中小型输出功率开关电源，除少数因价格限制仍使用20～40khz外，工作频率均在50khz以上；DC/DC电源模块大多在300khz以上；大功率开关电源的开关频率受主开关（一般采用IGBT）的开关速度限制，但一般为20～40khz。虽然开关频率不同，但开关电源输出整流滤波电容的功能基本相同。利用滤波电容器吸收开关频率及其高次谐波的电流分量，滤除纹波电压分量。 开关电源输出端的滤波电容与工频电路中的滤波电容不同。在工频电路中用作滤波器的普通电解电容器的脉冲电压频率仅为100Hz，充放电时间在毫秒量级。为了获得较小的脉冲系数，所需的电容量高达数十万微法。因此，普通铝电解用于低频容器制造的主要目的是提高电容。电容、损耗角正切和漏电流是判断其优缺点的主要参数。