不同材料电容的性能差异

我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50（百分比）。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30（百分比），陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。在使用高容量钽电容器时，应考虑这一点。在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。 我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50%。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30%，陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。 钽电容器在原理和结构上类似于电池。钽电容器具有体积小、容量大、速度快、ESR低、价格相对较高等优点。钽粉的粒度决定了钽粉的电容和耐压。颗粒越细，电容越大。如果你想获得更大的耐受电压，你需要更厚的Ta2O5，这就需要使用更大颗粒的钽粉。因此，获得高耐压、大容量等体积钽电容器是非常困难的。钽电容器需要注意的另一个地方是：钽电容器容易发生故障并表现出短路特性，抗浪涌能力差。大的瞬时电流很可能导致电容器烧坏并形成短路。在使用高容量钽电容器（如1000uf钽电容器）时，应考虑这一点。从上面可以看出，不同的电容器有不同的用途，并不是价格越高越好。 在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。滤波主要是滤除外部噪声，去耦/旁路（以旁路形式达到去耦效果的方式，用“去耦”代替）是为了减少局部电路的外部噪声干扰。许多人倾向于把两者混淆。

钽电容器的材料与封装

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。