半导体陶瓷电容器材料的特性

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

云母电容等电容类型间的差异

陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器。微调电容器调整后可固定在一定的容值，大电容通常在2pF到100pF之间变化。 陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷电容器的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，电容器的标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。 云母电容器的电容比陶瓷电容器小，因为云母的介电常数比陶瓷电容器小。但云母介质更容易实现产品的控制误差，且云母具有良好的高温特性。为了达到给定的容量，陶瓷比云母电容器小，所以陶瓷比云母电容器更常用。 表面安装电容器通常称为片式。它们的尺寸和形状与贴片电阻相同。其长度一般为1.27至4.57mm，具体取决于规定的性能。宽度为1.02至4.29mm，厚度为0.9至2.8mm。 电容器微调板的有效电容面积随板的有效间距而变化。它的板块有多个移动和固定的板块。通过转动动板改变极板的有效面积，从而改变电容器的容量。可变电容器极板间可用空气作介质，小型旋转电容器常用薄膜介质。薄膜可以缩短板间距，提高介电常数。旋转电容器的典型大值是从几个PFS到500pf以上。 微调电容器也可以改变容量。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器，调整后可固定在一定的容值。不适合反复调试。微调电容器的大电容通常在2pF到100pF之间变化。