钽电容器的改进
传统钽电容器的ESR主要来源于正极材料MnO2。相反，聚等导电聚合物的电导率在100S/cm范围内，电导率的增加直接转化为ESR的显著下降。不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器用聚合物阴极系统的优点，通过直接比较MnO2的ESR-频率曲线和A壳6.3V/47μF额定值条件下的聚合物设计，可以看出，在100kHz频率下，聚合物设计可使ESR降低一个数量级。引线框架材料是另一个可以通过切换到更高电导率的材料来改善ESR的领域。 传统钽电容器的ESR主要来源于正极材料MnO2。MnO2的电导率约为0.1s/cm。相反，聚(3，4-乙烯二氧噻吩)等导电聚合物的电导率在100S/cm范围内，电导率的增加直接转化为ESR的显著下降。 不同额定值下的ESR-频率曲线显示了钽电容器用聚合物阴极系统的优点，通过直接比较MnO2的ESR-频率曲线和A壳6.3V/47μF额定值条件下的聚合物设计，可以看出，在100kHz频率下，聚合物设计可使ESR降低一个数量级。 8不同材料的电导率 引线框架材料是另一个可以通过切换到更高电导率的材料来改善ESR的领域。如图3中的电容横截面所示，引线框架提供了从内部电容器元件到封装外部的电气连接。 Fe-Ni合金(如Alloy42)一直是引线框架材料的传统选择。这些合金的优点包括：热膨胀系数(CTE)低，成本低，易于制造。铜引线框架材料加工工艺的改进，使其可用于钽电容设计。由于ESR的电导率是Alloy42的100倍，所以铜的使用对ESR有重要的影响。例如，使用A壳(EIA3216)和传统引线框架的Vishay100μF/6.3VT55聚合物钽电容器在100kHz和25°C下提供了70mΩ的大ESR，通过更换铜引线框架，大ESR可降至40mΩ。 钽电容紧凑型和提高钽电容设计体积效率(电容密度)的两个主要因素是钽粉的演变和包装的改进。
贴片电容的正向变换器介绍
一些电路波形，上面绣Q1的漏极电压，中央线电压节点通过D1和D2，D1的底线。在该行的顶部，你可以看到当Q1导通，漏极电压降低到低于输入电压，使D1，二极管电流增加。如果D2不反向恢复电荷的功能，当D1电流等于输出电流，电压会上升。因为D2反向恢复电荷的功能，所以D1电流将进一步增加，它开始消耗的电荷。电荷一旦耗尽，二极管是封闭的，从而增加为了进一步提高节点的电压。请注意，电流将增加，直到节点电压等于输入电压到目前为止由于反射，泄漏电感两端的正电压。随着电流，电流的寄生电容充电电路，振铃和损失，导致更多的。 这些振铃波形可能不被接受，因为他们可能会引起干扰或电压二极管不可接受的应力问题。RC缓冲器被连接到D2可以大大减少振铃几乎不影响的效率。可以使用以下公式计算的振铃频率： 但是你怎么知道在电路值L和C？诀窍是在D2中加入已知电容的电容值的结果降低了振铃频率，所以你得到两个方程两个未知数。如果你添加的电容器可以减少一半的振铃频率，然后计算的价值变得更轻松。为了减少一半的频率，电容，你需要一个4次你使用的寄生电容。然后，只要加入3的电容可以寄生电容。在D2470pF电容两端的一振铃波形的频率的一半的频率。因此，该电路具有一个约150pf寄生电容。请注意，只是添加电容环上的振幅效果是非常小的，该电路还需要一些抗阻尼环。这是另一个好的开始。如果你选择适当的电阻，因此热敏电阻可以提供良好的阻尼效果，效率，同时低限度的影响。的阻尼电阻的佳值几乎是平价寄生元件的典型性。
