了解下一体成型电感如何看电流？

一、一体成型电感温升电流和饱和电流是产品设计时需要考虑的两个重要因素： 1、饱和电流Isat：以电感量变化,随着通过电感的电流的增加,磁密度会增加,当达到磁饱和时,电感的感量会急速下降,一般以感量下降30%时的电流值为标准。饱和电感是一种磁滞回线矩形比高,起始磁导率高,矫顽力小,具有明显磁饱和点的电感,在电子电路中常被当作可控延时开关元件来使用。 2、温升电流Irms：用电设备在额定电压下,按照额定功率运行时的电流。 二、一体成型电感温升电流和饱和电流是产品设计时需要考虑的两个重要因素： 饱和电流Isat：以电感量变化,随着通过电感的电流的增加,磁密度会增加,当达到磁饱和时,电感的感量会急速下降,一般以感量下降30%时的电流值为标准。饱和电感是一种磁滞回线矩形比高,起始磁导率高,矫顽力小,具有明显磁饱和点的电感,在电子电路中常被当作可控延时开关元件来使用。 温升电流Irms：用电设备在额定电压下,按照额定功率运行时的电流。 三、一体成型电流参数公式： a.品质因素Q:表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即：Q=XL/R.线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小.线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关.线圈的Q值通常为几十到一百. b.额定电流:额定电流是指能保证电路正常工作的工作电流. 除了以上相关参数外，同时一体成型电感的关键参数有：DCR(直流电阻）、饱和电流（Isat)、耐电压等。

片式电感与片式磁珠的区别

按照电感器在线路中发挥的功能，主要有两方面的应用，分别是波形发生器和扼流电抗器。其中，在波形发生方面的应用又包括了谐振电路，振荡电路，时钟电路和脉冲电路等。在这类电路中，电感器必须具有高Q、小的电感偏差和稳定的温度系数。高的Q值使电路具有尖锐的谐振峰值；窄的电感偏差则保证了谐振频率偏差尽可能的小；而稳定的温度系数则保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。 而扼流电抗器是将电感作为扼流圈来使用，这在电源电路中有广泛应用。这时电感器的主要参数是额定的工作电流、低的直流电阻和低的Q值。 当电感作为扼流电抗器来使用时，总希望用它构成的滤波电路具有宽的频率抑制特性，因此，这种电感器并不需要有高的Q值。而低的直流电阻可以保证在额定电流通过电感器时，将有小的电压降。 这样看来，同样是一个电感器，不同的应用场合中对电感器性能要求是不同的。 电感器本身是一个无功元件，它在电路中不消耗能量。电感器之所以能够阻止高频信号在线路中流通，发挥对电磁干扰的抑制作用，是因为电感器在高频信号作用下体现了一个高阻抗元件，阻止了高频信号在线路中的流通，而将高频信号反射回干扰源。就这个应用的频率范围来说，很少有超过50MHz的。 对磁珠来说，它本身是一个软磁铁氧体磁芯，串联在需要抑制干扰的线路上，诚然在频率较低时，铁氧体磁珠在串联电路上仍然体现为一个电感。然而对于频率更高的干扰，由于磁芯的磁导率的降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小，因此磁珠电感对于高频干扰的阻挡作用在减少。而与此同时，磁芯的损耗（涡流损耗）却在增加。后者等效为损耗电阻，电阻成分的增加，导致磁珠在线路上的总阻抗依然在增加，所以当高频干扰通过铁氧体时，磁珠对高频干扰的阻挡作用依然在增加，不过这次磁珠不是将高频干扰反射回干扰源，而是将高频干扰转换成热能的形式给耗散掉了。 这样看来，电感器和磁珠在结构上没有本质性的不同，但是从抑制干扰的机理（依照抑制干扰的频率范围来划分）来说，两者明显是不同的，一个是将干扰反射回干扰源（指电感），另一个是将干扰吸收掉（指磁珠）。