电容器与tvs器件之间的差异

电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。TVs主要用于电路元件的快速过电压保护。它可以吸收几千瓦的“浪涌”信号。能有效保护雷电、负荷开关等引起的过电压冲击。 电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。 PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。在给定的大箝位电压下，功耗PM越大，浪涌电流承受能力越大；在给定功耗PM下，钳位电压VC越低，浪涌电流承受能力越大。此外，峰值功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。装置规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01（百分比）。如果电路中出现重复脉冲，应考虑脉冲功率的“积累”，这可能会损坏电视机。 TC是从零到小击穿电压VBR的时间。单极电视小于1×10-秒，双极电视小于1×10-11秒。

钽电容器的材料封装

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。