半导体的基本物理特性

半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变纯半导体的电阻。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。 半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。温度的细微变化可以反映在半导体电阻的明显变化上。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。 半导体的电阻对光的变化非常敏感。当有光的时候，电阻很小；没有光的时候，电阻很大。例如，常用的硫化镉光阻，当没有光时，电阻高达几十兆。当暴露在光下时，电阻突然下降到几十千欧姆，电阻值变化了数千倍。许多光电器件，如光电二极管、光电晶体管和硅光电电池，都是利用半导体的光敏特性制造的。它们广泛应用于自动控制和无线电技术中。 在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变其电阻。例如，将人添加到纯硅中。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。在里面。也就是说，硅的导电能增加了50多万倍。它是通过人为地、精确地控制半导体的导电能力而加入一些特定的杂质元素来制造不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件都是由含有特定杂质的半导体材料制成的。

tvs器件的浪涌抑制能力

TVS广泛应用于计算机系统、通信设备、交直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSLB等，MP3、PDA、GPS、CDMA、GSM、数码相机保护、共模/差模保护、射频耦合/IC驱动接收保护、电机电磁干扰抑制、音视频输入、传感器/传输、工控回路、继电器、接触器噪声抑制等领域。当脉冲峰值电流IPP持续时间为20微秒时，其极间的大峰值电压为VC。VC与VBR的比值称为钳位系数，一般在1.2～1.4之间。 TVS广泛应用于计算机系统、通信设备、交直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSLB等，MP3、PDA、GPS、CDMA、GSM、数码相机保护、共模/差模保护、射频耦合/IC驱动接收保护、电机电磁干扰抑制、音视频输入、传感器/传输、工控回路、继电器、接触器噪声抑制等领域。 TVs参数：①大反向泄漏电流ID和额定反向关断电压VWM。 VWM是电视的大连续工作直流或脉冲电压。当这种反向电压施加在电视机的两极之间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于它的大反向泄漏电流ID。小击穿电压VBR和击穿电流IR，VBR是电视机的小雪崩电压。在25℃时，在此电压下，电视机不导电。当TVs流过规定的1mA电流（IR）时，TVs两极之间的电压为小击穿电压VBR。根据VBR与标准值的离散程度，TVs可分为±5（百分比）VBR和±10（百分比）VBR。对于±5（百分比）VBR，VWM=0.85vbr；对于±10（百分比）VBR，VWM=0.81vbr。 大箝位电压VC和大峰值脉冲电流IPP，当脉冲峰值电流IPP持续时间为20微秒时，其极间的大峰值电压为VC。它是串联电阻和温度系数引起的电压升高的组合。VC和IPP反映了TVs器件的浪涌抑制能力。VC与VBR的比值称为钳位系数，一般在1.2～1.4之间。