云母电容等电容类型间的差异

陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器。微调电容器调整后可固定在一定的容值，大电容通常在2pF到100pF之间变化。 陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷电容器的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，电容器的标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。 云母电容器的电容比陶瓷电容器小，因为云母的介电常数比陶瓷电容器小。但云母介质更容易实现产品的控制误差，且云母具有良好的高温特性。为了达到给定的容量，陶瓷比云母电容器小，所以陶瓷比云母电容器更常用。 表面安装电容器通常称为片式。它们的尺寸和形状与贴片电阻相同。其长度一般为1.27至4.57mm，具体取决于规定的性能。宽度为1.02至4.29mm，厚度为0.9至2.8mm。 电容器微调板的有效电容面积随板的有效间距而变化。它的板块有多个移动和固定的板块。通过转动动板改变极板的有效面积，从而改变电容器的容量。可变电容器极板间可用空气作介质，小型旋转电容器常用薄膜介质。薄膜可以缩短板间距，提高介电常数。旋转电容器的典型大值是从几个PFS到500pf以上。 微调电容器也可以改变容量。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器，调整后可固定在一定的容值。不适合反复调试。微调电容器的大电容通常在2pF到100pF之间变化。

高频电容的频率特性

高频电容特性高q值c0g系列m，属于微波陶瓷多层陶瓷介电电容器；采用准电微波介质材料；具有很高的稳定性，其电容几乎不受时间、交流、直流信号的影响；具有很低的介电损耗，即很高的Q值和低的ESR，适用于要求高q、超低hi-q的射频微波电路。单石电容、纸张介电电容、电解电容、低频陶瓷介电--也称为铁电电容、聚酯电容，由于介电损耗大，不适用于高频和中频电路。 高频电容特性：高q值c0g系列m，属于微波陶瓷多层陶瓷介电电容器；采用准电微波介质材料；具有很高的稳定性，其电容几乎不受时间、交流、直流信号的影响；具有很低的介电损耗，即很高的Q值和低的ESR，适用于要求高q、超低hi-q的射频微波电路。 高频电容器适用于高频滤波场合，如计算机主板和开关电源二次输出整流器；低频电容器适用于低频滤波情况，如交流整流滤波。 任何制造的电容器都不是理想的，有介电损耗，介电损耗小的适合高频电路，而高介损的只能在低频工作，这就是频率特性。频率特性是在交流电路(尤其是高频电路中)工作时，容量等参数随频率的变化而变化的特性。当电容器工作在高频电路中时，材料的介电常数随工作电路频率的增加而减小。此时，电力损耗也会增加。不同类型的介电参数是不同的，在许多情况下是不能相互替代的。