半导体的基本物理特性
半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变纯半导体的电阻。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。 半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。温度的细微变化可以反映在半导体电阻的明显变化上。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。 半导体的电阻对光的变化非常敏感。当有光的时候，电阻很小；没有光的时候，电阻很大。例如，常用的硫化镉光阻，当没有光时，电阻高达几十兆。当暴露在光下时，电阻突然下降到几十千欧姆，电阻值变化了数千倍。许多光电器件，如光电二极管、光电晶体管和硅光电电池，都是利用半导体的光敏特性制造的。它们广泛应用于自动控制和无线电技术中。 在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变其电阻。例如，将人添加到纯硅中。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。在里面。也就是说，硅的导电能增加了50多万倍。它是通过人为地、精确地控制半导体的导电能力而加入一些特定的杂质元素来制造不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件都是由含有特定杂质的半导体材料制成的。
大功率贴片三极管在线路中的应用
对于大功率贴片三极管，只要不是高频发射电路，我们都不必考虑三极管的特征频率fT。对于贴片三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率贴片三极管是一样的。 对于集电极大允许电流ICM的选择主要也是根据贴片三极管所带的负载情况而计算的。贴片三极管的集电极大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。 即使是一只四五十瓦的大功率贴片三极管，在没有散热器时，也只能经受两三瓦的功率耗散。大功率贴片三极管的选择还应留有充分的余量。 另外在选择大功率贴片三极管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的管子。
