钽电容器的材料封装

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

不同用途电容的种类差异

一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求电容值很大。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解，尽可能将一个管脚接在电路上。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷电容器置于钽电容器的后面。 一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求容值很大。一般使用铝电解。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解。从上面的例子可以看出，作为去耦电容器，它必须有快速的响应速度才能达到效果。如果电容器的芯片是指电容器，则应尽可能将电容器的一个管脚接在电路上。如果“局部电路a”指功能模块，则可使用陶瓷电容器。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解（只要功能模块中的每个芯片都有去耦陶瓷电容器）。滤波电容器的容量可以从开关电源芯片的数据手册中计算出来。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷置于钽电容器的后面。这样可以获得佳的滤波效果。 去耦电容器需要满足两个要求，一是容量要求，二是ESR要求。换言之，一个0.1uF的去耦效果不如两个0.01uF。此外，0.01uF在高频段具有较低的阻抗。如果0.01uF能满足这些频段的容量需求，它将比0.1uF具有更好的去耦效果。 例如，一个超过500个引脚的BGA封装需要至少30个陶瓷电容器和几个总容量超过200uf的大电容器。