半导体陶瓷电容器材料的特性
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
薄膜电容的材料及其结构
薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 薄膜电容器的结构与纸电容器相似，但当用聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚酯代替纸张作为介质时，薄膜电容器的频率特性好、介电损耗小、稳定性好、漏电流小，但不能产生大容量、不同的薄膜材料特性。薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。 许多塑料薄膜电容器使用金属化电极板，这些电容器带有金属薄膜，金属板直接沉淀在薄膜上。这样，两个电极之间的距离可以尽可能小，这样电容器就可以更小、更紧凑。 单石电容器是一种体积小、容量大、可靠性高、耐高温的新型电容器，它在几块陶瓷薄膜坯上涂上粘贴电极材料，一次成一个不可分割的整体。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。 陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容器具有较小的正电容温度系数，用于高稳定振荡电路。小容量(小于0.1μF)的陶瓷是常见的介电材料，常见的陶瓷电容器是圆形陶瓷电容器。
