陶瓷介电电容器的陶瓷材料
包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
电容器与tvs器件的差异
电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。TVs主要用于电路元件的快速过电压保护。它可以吸收几千瓦的“浪涌”信号。能有效保护雷电、负荷开关等引起的过电压冲击。 电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。 PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。在给定的大箝位电压下，功耗PM越大，浪涌电流承受能力越大；在给定功耗PM下，钳位电压VC越低，浪涌电流承受能力越大。此外，峰值功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。装置规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01（百分比）。如果电路中出现重复脉冲，应考虑脉冲功率的“积累”，这可能会损坏电视机。 TC是从零到小击穿电压VBR的时间。单极电视小于1×10-秒，双极电视小于1×10-11秒。 TVs主要用于电路元件的快速过电压保护。它可以吸收几千瓦的“浪涌”信号。电视具有体积小、功率大、响应速度快、无噪声、价格低廉等优点。广泛应用于家用电器、电子仪器仪表、精密设备、计算机系统、通信设备等；RS232、485和can通信端口；ISDN保护；I/O端口；IC电路保护；音视频输入；交直流电源；电机、继电器噪声抑制等领域。能有效保护雷电、负荷开关等引起的过电压冲击。
