半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变纯半导体的电阻。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。 半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。温度的细微变化可以反映在半导体电阻的明显变化上。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。 半导体的电阻对光的变化非常敏感。当有光的时候，电阻很小；没有光的时候，电阻很大。例如，常用的硫化镉光阻，当没有光时，电阻高达几十兆。当暴露在光下时，电阻突然下降到几十千欧姆，电阻值变化了数千倍。许多光电器件，如光电二极管、光电晶体管和硅光电电池，都是利用半导体的光敏特性制造的。它们广泛应用于自动控制和无线电技术中。 在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变其电阻。例如，将人添加到纯硅中。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。在里面。也就是说，硅的导电能增加了50多万倍。它是通过人为地、精确地控制半导体的导电能力而加入一些特定的杂质元素来制造不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件都是由含有特定杂质的半导体材料制成的。

M失效分为内部因素和外部因素，M内部或外部如存在各种微观缺陷，都会直接影响到M产品的电性能、可靠性，给产品质量带来严重的隐患。 内部因素：空洞、裂纹、分层 1.陶瓷介质内空洞 导致空洞的主要原因是陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生会导致漏电，而漏电又导致器件内部发热，进一步降低陶瓷介质的结缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容开裂，爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展，主要原因与烧结过程中的冷却速度有关裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000°C以上。层间结合力不强，烧结的过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都有可能导致分层的发生。分层和空间、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 检测方法： 超声波探伤方法能够更 地检测出M内部的缺陷，并且能够确定缺陷的位置，进一步的磨片分析，对于发现有内部缺陷的产品则采用整批报废处理，表明了超声波探伤方法在M的内部缺陷的检测、判定上有效性和可靠性。 外部因素：裂纹 1.温度冲击裂纹：主要是由于器件在焊接的时候，波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是受较大的导致温度冲击裂纹的重要原因。 2.机械应力裂纹 M的特点是能够承受较大的压应力，但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲的操作都可能导致器件开裂。 检测方法： 对于外部缺陷通常采用显微镜下人工目测法或者自动外观分选设备。