半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变纯半导体的电阻。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。 半导体的电阻随温度的变化而发生明显的变化。例如，对于纯锗，当湿度升高10度时，纯锗的电阻降低到原来的1：2。温度的细微变化可以反映在半导体电阻的明显变化上。根据半导体的热敏电阻，可以制作出可用于温度测量和控制系统的热敏电阻。值得注意的是，各种半导体器件都具有热敏性，当环境温度变化时，影响半导体器件的稳定性。 半导体的电阻对光的变化非常敏感。当有光的时候，电阻很小；没有光的时候，电阻很大。例如，常用的硫化镉光阻，当没有光时，电阻高达几十兆。当暴露在光下时，电阻突然下降到几十千欧姆，电阻值变化了数千倍。许多光电器件，如光电二极管、光电晶体管和硅光电电池，都是利用半导体的光敏特性制造的。它们广泛应用于自动控制和无线电技术中。 在纯半导体中，加入极少量杂质元素将大大改变其电阻。例如，将人添加到纯硅中。在百万分之一的硼中，硼元素的电阻将在214000欧元之间。内部，减少到0.4欧元。在里面。也就是说，硅的导电能增加了50多万倍。它是通过人为地、精确地控制半导体的导电能力而加入一些特定的杂质元素来制造不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件都是由含有特定杂质的半导体材料制成的。

贴片三极管的ICEO=βIcbo。随着环境温度的升高，ICBO增加，必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。 贴片三极管 要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。 贴片三极管一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。