薄膜电容的材料及其结构

薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 薄膜电容器的结构与纸电容器相似，但当用聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚酯代替纸张作为介质时，薄膜电容器的频率特性好、介电损耗小、稳定性好、漏电流小，但不能产生大容量、不同的薄膜材料特性。薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。 许多塑料薄膜电容器使用金属化电极板，这些电容器带有金属薄膜，金属板直接沉淀在薄膜上。这样，两个电极之间的距离可以尽可能小，这样电容器就可以更小、更紧凑。 单石电容器是一种体积小、容量大、可靠性高、耐高温的新型电容器，它在几块陶瓷薄膜坯上涂上粘贴电极材料，一次成一个不可分割的整体。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。 陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容器具有较小的正电容温度系数，用于高稳定振荡电路。小容量(小于0.1μF)的陶瓷是常见的介电材料，常见的陶瓷电容器是圆形陶瓷电容器。

传统钽电容和新型钽电容之间的区别

体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用提供了高容量的紧凑尺寸。低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。这些合金具有热膨胀系数低、成本低、易于制造等优点。通过对铜引线框架材料加工工艺的改进，使其可用于钽电容器的设计。\对于紧凑型钽电容器而言，钽粉的演变和包装的改进是提高钽电容器设计容积效率的两个主要因素。 体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用（如智能手机、平板电脑和其他手持消费电子设备）提供了高容量的紧凑尺寸。 低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。然而，对于给定的额定值（容量、电压、尺寸），这些因素主要是设计约束，基本上是在当前先进的设备上解决的。降低ESR的两个主要因素是：阴极材料被导电聚合物取代，引线框架材料由Fe-Ni合金改为Cu（Cu）。 传统钽电容器的ESR主要来源于MnO2阴极材料。如图1所示，二氧化锰的导电率约为0.1s/cm。相比之下，导电聚合物（如聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）的电导率在100s/cm范围内。电导率的增加直接转化为血沉的显著降低。通过直接比较MnO2和聚合物在6.3v/47μf额定值下的ESR频率曲线，可以看出聚合物设计可以在100khz时将ESR降低一个数量级。