由于电容器的充放电电流取决于电容和电压上升速率的乘积，即使是低电压充放电，也可能产生较大的瞬时充放电电流，从而导致电容器性能的损害。充放电时，请串联20Ω/V≤1000Ω/V或更高的限流电阻，将充放电电流限制在规定的范围内。如果存在电容器的短路充放电现象，请将其包括在缺陷产品的范围内，不得使用。电容器的额定工作温度为85℃。 由于电容器的充放电电流取决于电容和电压上升速率的乘积，即使是低电压充放电，也可能产生较大的瞬时充放电电流，从而导致电容器性能的损害。充放电时，请串联20Ω/V≤1000Ω/V或更高的限流电阻，将充放电电流限制在规定的范围内。如果存在电容器的短路充放电现象，请将其包括在缺陷产品的范围内，不得使用。 虽然耐火阻燃材料--燃烧支撑的环氧树脂或外壳用于薄膜电容器的外封装，但外部连续高温或火焰仍会使电容器芯变形，导致封装破裂，导致电容器芯熔化或燃烧。

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。