当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。穿孔电容器与面板焊接时，由于穿透电容器的热容与面板的热容相差较大，焊接局部温度过高，会损坏电容器。 当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。 三端电容器的缺点：虽然三端电容器的滤波效果优于普通电容器，但制约其高频效应的因素有两个，一是引线间的寄生电容耦合，二是接地线的电感。因此，三端电容器的滤波效果一般在300MHz以下。另外，三端电容器只能安装在电路板上，不可避免地导致高频泄漏。为了彻底解决宽带滤波的问题，我们应该使用穿孔电容器。 穿芯电容器本质上是一个三端电容器。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。通过电容器的滤波范围可以达到几GHz以上。 小接地电感：当通过电容器的外部客户在360°范围内与面板连接时，连接电感很小。因此，在高频率下，它可以提供良好的旁路效果。 输入输出之间没有耦合：安装过芯电容器的金属板起到隔离板的作用，有效地隔离了滤波器的输入和输出端，避免了高频下的耦合现象。

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。