当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。穿孔电容器与面板焊接时，由于穿透电容器的热容与面板的热容相差较大，焊接局部温度过高，会损坏电容器。 当使用三端电容器或片式滤波器时，中间的接地线越短越好。虽然两侧引线没有特殊要求，但应避免长的并联部分，否则高频滤波效果会大大降低。 三端电容器的缺点：虽然三端电容器的滤波效果优于普通电容器，但制约其高频效应的因素有两个，一是引线间的寄生电容耦合，二是接地线的电感。因此，三端电容器的滤波效果一般在300MHz以下。另外，三端电容器只能安装在电路板上，不可避免地导致高频泄漏。为了彻底解决宽带滤波的问题，我们应该使用穿孔电容器。 穿芯电容器本质上是一个三端电容器。一个电极连接到芯线，另一个电极连接到外壳。使用时，将电极通过焊接或螺钉安装直接安装在金属面板上，待滤波的信号线连接在芯线的两端。通过电容器的滤波范围可以达到几GHz以上。 小接地电感：当通过电容器的外部客户在360°范围内与面板连接时，连接电感很小。因此，在高频率下，它可以提供良好的旁路效果。 输入输出之间没有耦合：安装过芯电容器的金属板起到隔离板的作用，有效地隔离了滤波器的输入和输出端，避免了高频下的耦合现象。

单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷电容的替代名称，单石电容由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，陶瓷电容分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石电容高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石电容低。由于单石电容和陶瓷芯片电容的特性不同，单石电容的应用寿命不一样。 高压陶瓷电容器的使用主要分为输变电、配电系统电源设备和脉冲能量处理设备。 单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷的替代名称，由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 外形上的区别是单石电容实际上是烧结的陶瓷片式，一般为方形，陶瓷片状电容主要是片状；在相同体积下，单个石材的容量大得多，陶瓷芯片的电压电阻比单石大得多。 单石的特点是：容量大，稳定性好，容量范围为10pF≤10uF，体积小，比CBB体积小，耐高温保湿性能好，温度漂移系数小。 陶瓷的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石低。 由于单石和陶瓷芯片的特性不同，单石的应用寿命不一样，主要应用于液晶表、电子相机、微型仪器、医疗仪器、电子调谐器等领域，而陶瓷芯片的应用主要集中在高频振荡电路、旁路和解耦等方面。