半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质对材料的性能有很大的影响，大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。 半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。半导体材料通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件(如光、温度等)的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质(特别是快速扩散杂质和深能级杂质)对材料的性能有很大的影响。 因此，半导体材料应具有较高的纯度，这不仅要求用于生产的原料具有相当高的纯度，而且还需要超清洁的生产环境，以尽量减少生产过程中的杂质污染。半导体材料大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。此外，对材料各项电气参数的均匀性也有严格的要求。 半导体材料是一种在室温下导电介于导电材料和绝缘材料之间的功能材料，其电导率由电子和空穴载流子实现，室温下的电阻一般在10-5~107欧姆之间，通常电阻随温度的升高而增大，如果加入或辐照活性杂质，电阻可改变几个数量级。 此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化(如热、光、电、磁等因素)非常敏感，根据这些条件，可以制造各种敏感元件以进行信息转换。 半导体材料的特征参数是带隙、电阻、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。带隙由半导体的电子态和原子构型决定，它反映了组成材料的原子中价电子从束缚态激发到自由态所需的能量。电阻和载流子迁移率反映了材料的电导率。

TVS广泛应用于计算机系统、通信设备、交直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSLB等，MP3、PDA、GPS、CDMA、GSM、数码相机保护、共模/差模保护、射频耦合/IC驱动接收保护、电机电磁干扰抑制、音视频输入、传感器/传输、工控回路、继电器、接触器噪声抑制等领域。当脉冲峰值电流IPP持续时间为20微秒时，其极间的大峰值电压为VC。VC与VBR的比值称为钳位系数，一般在1.2～1.4之间。 TVS广泛应用于计算机系统、通信设备、交直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSLB等，MP3、PDA、GPS、CDMA、GSM、数码相机保护、共模/差模保护、射频耦合/IC驱动接收保护、电机电磁干扰抑制、音视频输入、传感器/传输、工控回路、继电器、接触器噪声抑制等领域。 TVs参数：①大反向泄漏电流ID和额定反向关断电压VWM。 VWM是电视的大连续工作直流或脉冲电压。当这种反向电压施加在电视机的两极之间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于它的大反向泄漏电流ID。小击穿电压VBR和击穿电流IR，VBR是电视机的小雪崩电压。在25℃时，在此电压下，电视机不导电。当TVs流过规定的1mA电流（IR）时，TVs两极之间的电压为小击穿电压VBR。根据VBR与标准值的离散程度，TVs可分为±5（百分比）VBR和±10（百分比）VBR。对于±5（百分比）VBR，VWM=0.85vbr；对于±10（百分比）VBR，VWM=0.81vbr。 大箝位电压VC和大峰值脉冲电流IPP，当脉冲峰值电流IPP持续时间为20微秒时，其极间的大峰值电压为VC。它是串联电阻和温度系数引起的电压升高的组合。VC和IPP反映了TVs器件的浪涌抑制能力。VC与VBR的比值称为钳位系数，一般在1.2～1.4之间。