半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质对材料的性能有很大的影响，大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。 半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。半导体材料通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件(如光、温度等)的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质(特别是快速扩散杂质和深能级杂质)对材料的性能有很大的影响。 因此，半导体材料应具有较高的纯度，这不仅要求用于生产的原料具有相当高的纯度，而且还需要超清洁的生产环境，以尽量减少生产过程中的杂质污染。半导体材料大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。此外，对材料各项电气参数的均匀性也有严格的要求。 半导体材料是一种在室温下导电介于导电材料和绝缘材料之间的功能材料，其电导率由电子和空穴载流子实现，室温下的电阻一般在10-5~107欧姆之间，通常电阻随温度的升高而增大，如果加入或辐照活性杂质，电阻可改变几个数量级。 此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化(如热、光、电、磁等因素)非常敏感，根据这些条件，可以制造各种敏感元件以进行信息转换。 半导体材料的特征参数是带隙、电阻、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。带隙由半导体的电子态和原子构型决定，它反映了组成材料的原子中价电子从束缚态激发到自由态所需的能量。电阻和载流子迁移率反映了材料的电导率。

M失效分为内部因素和外部因素，M内部或外部如存在各种微观缺陷，都会直接影响到M产品的电性能、可靠性，给产品质量带来严重的隐患。 内部因素：空洞、裂纹、分层 1.陶瓷介质内空洞 导致空洞的主要原因是陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生会导致漏电，而漏电又导致器件内部发热，进一步降低陶瓷介质的结缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容开裂，爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展，主要原因与烧结过程中的冷却速度有关裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000°C以上。层间结合力不强，烧结的过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都有可能导致分层的发生。分层和空间、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 检测方法： 超声波探伤方法能够更 地检测出M内部的缺陷，并且能够确定缺陷的位置，进一步的磨片分析，对于发现有内部缺陷的产品则采用整批报废处理，表明了超声波探伤方法在M的内部缺陷的检测、判定上有效性和可靠性。 外部因素：裂纹 1.温度冲击裂纹：主要是由于器件在焊接的时候，波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是受较大的导致温度冲击裂纹的重要原因。 2.机械应力裂纹 M的特点是能够承受较大的压应力，但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲的操作都可能导致器件开裂。 检测方法： 对于外部缺陷通常采用显微镜下人工目测法或者自动外观分选设备。