电容器在过电压条件下容易发生故障，但实际应用中常出现浪涌电压和瞬时高压。特别是我国幅员辽阔，电网复杂。因此，交流电网非常复杂，经常超过正常电压30，尤其是单相输入。相位偏移会加剧交流输入的正常范围。试验结果表明，在1.34倍额定电压下，常用的450v/470uf105℃进口普通电解电容器在2000小时内会发生液体和气体泄漏，顶部会爆裂。据统计分析，靠近电网的通信开关电源PFC输出电解电容器故障主要是由于电网浪涌和高压损坏。 电容器在过电压条件下容易发生故障，但实际应用中常出现浪涌电压和瞬时高压。特别是我国幅员辽阔，电网复杂。因此，交流电网非常复杂，经常超过正常电压30，尤其是单相输入。相位偏移会加剧交流输入的正常范围。试验结果表明，在1.34倍额定电压下，常用的450v/470uf105℃进口普通电解电容器在2000小时内会发生液体和气体泄漏，顶部会爆裂。据统计分析，靠近电网的通信开关电源PFC输出电解电容器故障主要是由于电网浪涌和高压损坏。一般情况下，电解电容器的电压降到额定值的80（百分比）。 除异常失效外，电解电容器的寿命与温度呈指数关系。由于采用非固态电解液，电解电容器的寿命也取决于电解液的蒸发速率，导致电解液的电学性能下降。这些参数包括电容、泄漏电流和等效串联电阻（ESR）。参考RIFA的预期寿命公式：Ploss=IRMS&Sup2xESR（1）th=TAPlossxrth（2）lop=a×2小时（3）B=参考温度值（典型85℃）a=电容器在参考温度下的寿命（随电容器直径的变化）C=将电容器寿命从上述公式中减半所需的温升次数，可以清楚地看到，影响电解电容器寿命的直接因素有：纹波电流IRMS和等效串联电阻（ESR）、环境温度（TA）和热点向周围环境传递的总热阻（RTH）。电容器内部温度高的点称为热点温度（th）。

高频电容特性高q值c0g系列m，属于微波陶瓷多层陶瓷介电电容器；采用准电微波介质材料；具有很高的稳定性，其电容几乎不受时间、交流、直流信号的影响；具有很低的介电损耗，即很高的Q值和低的ESR，适用于要求高q、超低hi-q的射频微波电路。单石电容、纸张介电电容、电解电容、低频陶瓷介电--也称为铁电电容、聚酯电容，由于介电损耗大，不适用于高频和中频电路。 高频电容特性：高q值c0g系列m，属于微波陶瓷多层陶瓷介电电容器；采用准电微波介质材料；具有很高的稳定性，其电容几乎不受时间、交流、直流信号的影响；具有很低的介电损耗，即很高的Q值和低的ESR，适用于要求高q、超低hi-q的射频微波电路。 高频电容器适用于高频滤波场合，如计算机主板和开关电源二次输出整流器；低频电容器适用于低频滤波情况，如交流整流滤波。 任何制造的电容器都不是理想的，有介电损耗，介电损耗小的适合高频电路，而高介损的只能在低频工作，这就是频率特性。频率特性是在交流电路(尤其是高频电路中)工作时，容量等参数随频率的变化而变化的特性。当电容器工作在高频电路中时，材料的介电常数随工作电路频率的增加而减小。此时，电力损耗也会增加。不同类型的介电参数是不同的，在许多情况下是不能相互替代的。