我们经常可以看到，去耦电容器连接在电源和地面之间，它有三个功能：一是作为集成电路的储能电容器；二是滤除器件产生的高频噪声，切断其通过供电电路的传输路径；三是，防止电源携带的噪声干扰电路。滤波电路中使用的陶瓷电容器称为滤波电容器。滤波电容器将从总信号中去除一定频带内的信号。在LC谐振电路中使用的安全电容称为谐振电容，它是LC并联和串联谐振电路所必需的。储能是储存电能，以便在必要时释放。 我们经常可以看到，去耦电容器连接在电源和地面之间，它有三个功能：一是作为集成电路的储能电容器；二是滤除器件产生的高频噪声，切断其通过供电电路的传输路径；三是，防止电源携带的噪声干扰电路。 耦合电路中使用的陶瓷电容称为耦合电容。广泛应用于阻容耦合放大器等电容耦合电路中。它充当两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。 滤波电路中使用的陶瓷电容器称为滤波电容器。滤波电容器将从总信号中去除一定频带内的信号。因此，在电源电路中，整流电路将交流电转换为脉动直流电，在整流电路之后，接上大容量陶瓷电容器。利用其充放电特性，整流后的脉动直流电压变为相对稳定的直流电压。 在LC谐振电路中使用的安全电容称为谐振电容，它是LC并联和串联谐振电路所必需的。为了提高电路的稳定性，采用温度补偿来补偿其它元件不适应温度的影响。调谐是对与频率相关的电路进行系统的调谐，如手机、收音机和电视。 储能是储存电能，以便在必要时释放。例如，照相机闪光灯，加热设备等等。（现在，许多电容器的储能水平接近锂电池的水平。电容器中储存的能量可以供手机使用 。

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。