一些电路波形，上面绣Q1的漏极电压，中央线电压节点通过D1和D2，D1的底线。在该行的顶部，你可以看到当Q1导通，漏极电压降低到低于输入电压，使D1，二极管电流增加。如果D2不反向恢复电荷的功能，当D1电流等于输出电流，电压会上升。因为D2反向恢复电荷的功能，所以D1电流将进一步增加，它开始消耗的电荷。电荷一旦耗尽，二极管是封闭的，从而增加为了进一步提高节点的电压。请注意，电流将增加，直到节点电压等于输入电压到目前为止由于反射，泄漏电感两端的正电压。随着电流，电流的寄生电容充电电路，振铃和损失，导致更多的。 这些振铃波形可能不被接受，因为他们可能会引起干扰或电压二极管不可接受的应力问题。RC缓冲器被连接到D2可以大大减少振铃几乎不影响的效率。可以使用以下公式计算的振铃频率： 但是你怎么知道在电路值L和C？诀窍是在D2中加入已知电容的电容值的结果降低了振铃频率，所以你得到两个方程两个未知数。如果你添加的电容器可以减少一半的振铃频率，然后计算的价值变得更轻松。为了减少一半的频率，电容，你需要一个4次你使用的寄生电容。然后，只要加入3的电容可以寄生电容。在D2470pF电容两端的一振铃波形的频率的一半的频率。因此，该电路具有一个约150pf寄生电容。请注意，只是添加电容环上的振幅效果是非常小的，该电路还需要一些抗阻尼环。这是另一个好的开始。如果你选择适当的电阻，因此热敏电阻可以提供良好的阻尼效果，效率，同时低限度的影响。的阻尼电阻的佳值几乎是平价寄生元件的典型性。

陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，经高温烧结而成的电容器。在高稳定度振荡电路中，通常用作回路、旁路电容和垫电容。陶瓷板电容器可分为高频瓷介质和低频瓷介质两类。低频瓷电容器 于在工作频率较低的电路中进行旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求较低的情况下。这种电容器很容易被脉冲电压击穿，不适合用于脉冲电路。是温度补偿型NPO介质，它的电学性能稳定，不随温度、电压和时间的变化而变化。 陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，经高温烧结而成的电容器。在高稳定度振荡电路中，通常用作回路、旁路电容和垫电容。陶瓷板电容器可分为高频瓷介质和低频瓷介质两类。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和垫电容器。低频瓷电容器 于在工作频率较低的电路中进行旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求较低的情况下（包括高频）。这种电容器很容易被脉冲电压击穿，不适合用于脉冲电路。 其优点是稳定、绝缘性好、耐高压。劣势容量相对较小。单石电容器是多层陶瓷电容器的一个特殊名称。英文名称是单核细胞陶瓷电容器或多层陶瓷电容器，或M。根据所用材料的不同，可分为三类。 是温度补偿型NPO介质，它的电学性能稳定，不随温度、电压和时间的变化而变化。它是超稳定、低损耗的电容器材料类型，适用于对稳定性和可靠性要求高的高频、特高频和甚高频电路。