顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷介电电容器或单石电容器。顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可将电容器分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。 由于陶瓷电容的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性和不易老化性。陶瓷电容器能抵抗酸碱腐蚀和盐腐蚀，腐蚀性能好。低压陶瓷电容的介电常数大，体积小，容量大。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和较高的耐压性能。陶瓷电容器基本上不随温度、电压、时间等变化而变化。 具有表面层的陶瓷电容器的小型化，即电容器可以在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对于电容器元件的分离，有两种基本的小型化方法：(1)尽可能提高介电材料的介电常数；(2)尽量减小介电层厚度。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易造成各种显微组织缺陷，生产过程非常困难。

陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率，低压和低功率可分为Ⅰ型和Ⅱ型。Ⅰ型型）具有体积小、损耗低、电容对频率和温度稳定性高的特点，是高频电路中常用的1圆盘高频陶瓷电容器适用于谐振电路及其它电路的温度补偿、耦合和隔离。陶瓷材料作为介质电容器的介质，是由各种原材料按不同的配方经高温烧结而成。利用这一点，我们可以制造出不同介电常数和温度系数的电容器，以满足不同的要求。 陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率，低压和低功率可分为Ⅰ型）和Ⅱ型（CT）。Ⅰ型型）具有体积小、损耗低、电容对频率和温度稳定性高的特点，是高频电路中常用的。II型（CT型）具有体积小、损耗大、电容对温度和频率稳定性差等特点，常用于低频电路中。 CC1圆盘高频陶瓷电容器适用于谐振电路及其它电路的温度补偿、耦合和隔离。损耗：0.025绝缘电阻：10000欧姆，试验电压：200V允许偏差：5p（+-0.5p）6-10p（+-1P）10p（J，K，m）温度系数：-150----1000ppm/C，环境温度：-25-85c，+40C相对湿度可达96（百分比），陶瓷电容器又称陶瓷电容器。它是以陶瓷为介质，涂有金属膜（一般是银），经高温烧结而成的电极。然后将导线焊接在电极上，表面涂上保护瓷漆，或用环氧树脂和树脂包封。 陶瓷材料作为介质电容器的介质，是由各种原材料按不同的配方经高温烧结而成。不同的陶瓷材料配方，其电学性能也不尽相同。利用这一点，我们可以制造出不同介电常数和温度系数的电容器，以满足不同的要求。