顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷介电电容器或单石电容器。顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可将电容器分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。 由于陶瓷电容的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性和不易老化性。陶瓷电容器能抵抗酸碱腐蚀和盐腐蚀，腐蚀性能好。低压陶瓷电容的介电常数大，体积小，容量大。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和较高的耐压性能。陶瓷电容器基本上不随温度、电压、时间等变化而变化。 具有表面层的陶瓷电容器的小型化，即电容器可以在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对于电容器元件的分离，有两种基本的小型化方法：(1)尽可能提高介电材料的介电常数；(2)尽量减小介电层厚度。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易造成各种显微组织缺陷，生产过程非常困难。

体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用提供了高容量的紧凑尺寸。低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。这些合金具有热膨胀系数低、成本低、易于制造等优点。通过对铜引线框架材料加工工艺的改进，使其可用于钽电容器的设计。\对于紧凑型钽电容器而言，钽粉的演变和包装的改进是提高钽电容器设计容积效率的两个主要因素。 体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用（如智能手机、平板电脑和其他手持消费电子设备）提供了高容量的紧凑尺寸。 低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。然而，对于给定的额定值（容量、电压、尺寸），这些因素主要是设计约束，基本上是在当前先进的设备上解决的。降低ESR的两个主要因素是：阴极材料被导电聚合物取代，引线框架材料由Fe-Ni合金改为Cu（Cu）。 传统钽电容器的ESR主要来源于MnO2阴极材料。如图1所示，二氧化锰的导电率约为0.1s/cm。相比之下，导电聚合物（如聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）的电导率在100s/cm范围内。电导率的增加直接转化为血沉的显著降低。通过直接比较MnO2和聚合物在6.3v/47μf额定值下的ESR频率曲线，可以看出聚合物设计可以在100khz时将ESR降低一个数量级。