顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷介电电容器或单石电容器。顾名思义，陶瓷介电电容器是陶瓷用介电材料的电容器。根据陶瓷材料的不同，可将电容器分为容量为1~300pF的低频陶瓷介电和容量为300~22000pF的高频陶瓷介电。按结构形式可分为图像、管状、矩形、片状、穿孔电容器等。 由于陶瓷电容的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性和不易老化性。陶瓷电容器能抵抗酸碱腐蚀和盐腐蚀，腐蚀性能好。低压陶瓷电容的介电常数大，体积小，容量大。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和较高的耐压性能。陶瓷电容器基本上不随温度、电压、时间等变化而变化。 具有表面层的陶瓷电容器的小型化，即电容器可以在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对于电容器元件的分离，有两种基本的小型化方法：(1)尽可能提高介电材料的介电常数；(2)尽量减小介电层厚度。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但普通铁电陶瓷电容器由铁电陶瓷制成的陶瓷介质很难使陶瓷介质变薄。首先，由于铁电陶瓷强度低，薄时易断裂，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易造成各种显微组织缺陷，生产过程非常困难。

一般来说，陶瓷电容器和高频电容器非常相似。实际上，它们之间存在着频率差。在高稳定振荡电路中，采用电容温度系数小的陶瓷电容器作为回路和垫电容器。高频陶瓷电容器是由适合喷涂的特殊混合物制成的。陶瓷电容器主要针对高频。随着科学技术的发展，高频和陶瓷电容器得到了广泛的应用，选择质量好、安全可靠的高频和陶瓷电容器是非常重要的。 陶瓷电容器和高频电容器非常相似，实际上，它们之间存在着频率差。高频电容器是陶瓷的。陶瓷电容器是由高介电常数的陶瓷（钛酸钡钛氧化物）挤压成管、盘或盘作为介质，用烧结浸渗法在陶瓷表面镀银作为电极。又分为高频和低频。 在高稳定振荡电路中，采用电容温度系数小的陶瓷电容器作为回路和垫电容器。低频陶瓷电容器 于低频电路中的旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求不高的地方。这些不适合在脉冲电路中使用，因为它们容易被脉冲电压击穿。 高频陶瓷电容器是由适合喷涂的特殊混合物制成的。电介质与银电极烧结形成“整体”结构。高频陶瓷电容器适用于高频电路的云母电容器。从结构上可分为箔式和镀银型。银电极是通过真空蒸发或燃烧浸渗直接在云母上沉积银层而制成的。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔式电极高。 陶瓷电容器主要针对高频。高压陶瓷电容器取决于它在哪里使用。典型功能可消除高频干扰。 特殊的串联结构适用于高电压、高电流爬升率的长期运行可靠性，适用于大电流回路的无感结构。 高频电容器具有频率特性好、Q值高、温度系数小等特点，不能制成大容量，广泛应用于高频电器中，可作为标准玻璃釉电容器使用。可在200℃或更高温度下工作。额定电压可达500V，损耗TGδ为0.0005～0.008。随着科学技术的发展，高频电容器和陶瓷电容器得到了广泛的应用。选择质量好、安全可靠的高频和陶瓷电容器是非常重要的。