CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 薄膜电容器的结构与纸电容器相似，但当用聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚酯代替纸张作为介质时，薄膜电容器的频率特性好、介电损耗小、稳定性好、漏电流小，但不能产生大容量、不同的薄膜材料特性。薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。 许多塑料薄膜电容器使用金属化电极板，这些电容器带有金属薄膜，金属板直接沉淀在薄膜上。这样，两个电极之间的距离可以尽可能小，这样电容器就可以更小、更紧凑。 单石电容器是一种体积小、容量大、可靠性高、耐高温的新型电容器，它在几块陶瓷薄膜坯上涂上粘贴电极材料，一次成一个不可分割的整体。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。 陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容器具有较小的正电容温度系数，用于高稳定振荡电路。小容量(小于0.1μF)的陶瓷是常见的介电材料，常见的陶瓷电容器是圆形陶瓷电容器。