CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

MKP电容器额定额定电压为250/275VAC，但其直流耐受电压应达到2000vdc2s，但CBB22电容器耐压标准仅为额定电压的1.6倍，其他静态电气参数相同。如果工作电容器的功率为3000W，电容本身会非常热，因此铁穿孔电容器将断开。mkp61和CBB22电容器均采用聚丙烯薄膜介质，损耗小，热值小。通过测试发现，电容器接近功率晶体管（三元管加热后散热器温度超过115℃，CBB22电容器容易故障，mkp61相对安全。当电容器与功率晶体管（热源）的距离增大时，CBB22和mkp61的电容无明显差异。 MKP电容器额定额定电压为250/275VAC（x2），但其直流耐受电压应达到2000vdc2s，但CBB22电容器耐压标准仅为额定电压的1.6倍，其他静态电气参数相同。 效率受电容器交流电压、直流电压、频率等三相影响而确定。电容器工作功率和负载功率的概念不应混淆，不能推广功率。对于频率问题，虽然许多信号都是50～60Hz，但也可在20～60KHZ范围内使用。有些线更高。其区别在于不同频率条件下的交流电压，主要取决于电容器所承载的功率不超过标准值。 如果工作电容器（mkp61和CBB22）的功率为3000W，电容本身会非常热，因此铁穿孔电容器（mkp61和CBB22）将断开。 mkp61和CBB22电容器均采用聚丙烯薄膜介质，损耗小，热值小。在实际使用电路时，温升不应超过6℃（高于环境温度）。在实际测试中，许多电路板的温升在4℃以内。如果温度升高高于此条件，则表明电容器工作功率过高，且两个电容器都容易发生故障。 Mkp61电容器具有阻燃壳和封装材料，比CBB22具有更好的隔热和散热性能。如果电容器接近功率晶体管或其他加热元件，mkp61使用更安全，如果远离热源，CBB22更经济。