CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。

陶瓷电容器又称陶瓷或单片电容器。顾名思义，陶瓷介电是用陶瓷介质材料制成的。按结构可分为图像、管形、矩形、片式、过流电容器等。低压陶瓷具有介电常数大、体积小、容量大的特点。分离电容模块的小型化有两种基本方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层厚度尽可能薄。首先，铁电陶瓷薄时易破碎，难以进行实际生产操作。 陶瓷电容器又称陶瓷或单片电容器。顾名思义，陶瓷介电是用陶瓷介质材料制成的。根据陶瓷材料的不同，可分为低频陶瓷1～300pf和高频陶瓷300～22000pf两种。按结构可分为图像、管形、矩形、片式、过流等。 由于陶瓷电容器的介电材料是陶瓷介质，具有良好的耐热性，不易老化，耐酸、碱、盐腐蚀，具有良好的耐腐蚀性。低压陶瓷具有介电常数大、体积小、容量大的特点。陶瓷电容器具有良好的绝缘性能和耐高压性能，不随温度、电压、时间等变化。 半导体陶瓷电容器，表层陶瓷电容器。电容器的小型化意味着电容器可以在小的体积内获得大的容量，这是电容器的发展趋势之一。分离电容模块的小型化有两种基本方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层厚度尽可能薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难变薄。首先，铁电陶瓷薄时易破碎，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易产生各种结构陷，因此生产过程非常困难。