陶瓷介电电容器常用的陶瓷介质材料有三种：I型电容器陶瓷：其介电常数一般小于100，电性能稳定，基本不随温度、电压和时间的变化而变化。它是一种超稳定、低损耗的电容器介电材料，常用于高频、超高频和极高频场合，具有较高的稳定性和可靠性要求。因为电容器的介电材料是陶器，所以耐热性好，不易老化。陶瓷电容器具有抗酸、碱、盐腐蚀的能力，具有良好的耐腐蚀性能。绝缘性能好，可制成高压电容器。电容小，机械强度低。 陶瓷介电电容器常用的陶瓷介质材料有三种：I型电容器陶瓷：其介电常数一般小于100，电性能稳定，基本不随温度、电压和时间的变化而变化。它是一种超稳定、低损耗的电容器介电材料，常用于高频、超高频和极高频场合，具有较高的稳定性和可靠性要求。 II型电容器陶瓷：其介电常数一般在1000以上，电性能稳定。适用于直、耦合、旁路和清洗、波形电路和中低频场合，可靠性要求高。由于电容器陶族的缘故，它具有较高的介电常数，广泛应用于低容量稳定性和损耗要求的场合。 基于高铁酸盐陶瓷材料的电容器被称为单石陶瓷介电电容器，它是由叠层陶瓷薄膜制成的。由于每一片陶瓷薄膜都很薄，所以它具有容量大、体积小的特点。 陶瓷介电电容器具有以下特性： 因为电容器的介电材料是陶器，所以耐热性好，不易老化。陶瓷电容器具有抗酸、碱、盐腐蚀的能力，具有良好的耐腐蚀性能。低频陶瓷材料的介电常数很大，因此低频陶瓷介电电容器的体积和容量越来越小。绝缘性能好，可制成高压电容器。高频陶瓷材料损耗角与频率的正切关系很小，因此高频电路可以选用高频监测电容器。价格便宜，原料丰富，适合大批量生产。电容小，机械强度低。

我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50（百分比）。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30（百分比），陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。在使用高容量钽电容器时，应考虑这一点。在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。 我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50%。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30%，陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。 钽电容器在原理和结构上类似于电池。钽电容器具有体积小、容量大、速度快、ESR低、价格相对较高等优点。钽粉的粒度决定了钽粉的电容和耐压。颗粒越细，电容越大。如果你想获得更大的耐受电压，你需要更厚的Ta2O5，这就需要使用更大颗粒的钽粉。因此，获得高耐压、大容量等体积钽电容器是非常困难的。钽电容器需要注意的另一个地方是：钽电容器容易发生故障并表现出短路特性，抗浪涌能力差。大的瞬时电流很可能导致电容器烧坏并形成短路。在使用高容量钽电容器（如1000uf钽电容器）时，应考虑这一点。从上面可以看出，不同的电容器有不同的用途，并不是价格越高越好。 在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。滤波主要是滤除外部噪声，去耦/旁路（以旁路形式达到去耦效果的方式，用“去耦”代替）是为了减少局部电路的外部噪声干扰。许多人倾向于把两者混淆。