体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用提供了高容量的紧凑尺寸。低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。这些合金具有热膨胀系数低、成本低、易于制造等优点。通过对铜引线框架材料加工工艺的改进，使其可用于钽电容器的设计。\对于紧凑型钽电容器而言，钽粉的演变和包装的改进是提高钽电容器设计容积效率的两个主要因素。 体积更小-结合使用高CV钽粉和高效包装，这些设备为空间受限的应用（如智能手机、平板电脑和其他手持消费电子设备）提供了高容量的紧凑尺寸。 低ESR钽电容器，降低ESR一直是钽电容器设计的重要研究方向之一。钽粉的选择和阴极材料的涂覆工艺对电渣重熔有重要影响。然而，对于给定的额定值（容量、电压、尺寸），这些因素主要是设计约束，基本上是在当前先进的设备上解决的。降低ESR的两个主要因素是：阴极材料被导电聚合物取代，引线框架材料由Fe-Ni合金改为Cu（Cu）。 传统钽电容器的ESR主要来源于MnO2阴极材料。如图1所示，二氧化锰的导电率约为0.1s/cm。相比之下，导电聚合物（如聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）的电导率在100s/cm范围内。电导率的增加直接转化为血沉的显著降低。通过直接比较MnO2和聚合物在6.3v/47μf额定值下的ESR频率曲线，可以看出聚合物设计可以在100khz时将ESR降低一个数量级。

一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求电容值很大。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解，尽可能将一个管脚接在电路上。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷电容器置于钽电容器的后面。 一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求容值很大。一般使用铝电解。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解。从上面的例子可以看出，作为去耦电容器，它必须有快速的响应速度才能达到效果。如果电容器的芯片是指电容器，则应尽可能将电容器的一个管脚接在电路上。如果“局部电路a”指功能模块，则可使用陶瓷电容器。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解（只要功能模块中的每个芯片都有去耦陶瓷电容器）。滤波电容器的容量可以从开关电源芯片的数据手册中计算出来。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷置于钽电容器的后面。这样可以获得佳的滤波效果。 去耦电容器需要满足两个要求，一是容量要求，二是ESR要求。换言之，一个0.1uF的去耦效果不如两个0.01uF。此外，0.01uF在高频段具有较低的阻抗。如果0.01uF能满足这些频段的容量需求，它将比0.1uF具有更好的去耦效果。 例如，一个超过500个引脚的BGA封装需要至少30个陶瓷电容器和几个总容量超过200uf的大电容器。