我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50（百分比）。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30（百分比），陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。在使用高容量钽电容器时，应考虑这一点。在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。 我们来看看环境温度和直流工作电压对c0g、X5R和Y5V电容的影响，c0g的容量不随温度变化，X5R的稳定性稍差，而Y5V材料的容量在60℃时变成标称值的50%。Y5V陶瓷片式电容器在承受50V电压时，其容量仅为额定值的30%，陶瓷电容器的缺点是易碎。因此电路板要尽量远离变形和碰撞的地方。 钽电容器在原理和结构上类似于电池。钽电容器具有体积小、容量大、速度快、ESR低、价格相对较高等优点。钽粉的粒度决定了钽粉的电容和耐压。颗粒越细，电容越大。如果你想获得更大的耐受电压，你需要更厚的Ta2O5，这就需要使用更大颗粒的钽粉。因此，获得高耐压、大容量等体积钽电容器是非常困难的。钽电容器需要注意的另一个地方是：钽电容器容易发生故障并表现出短路特性，抗浪涌能力差。大的瞬时电流很可能导致电容器烧坏并形成短路。在使用高容量钽电容器（如1000uf钽电容器）时，应考虑这一点。从上面可以看出，不同的电容器有不同的用途，并不是价格越高越好。 在电源设计中，电容器主要用于滤波和去耦/旁路。滤波主要是滤除外部噪声，去耦/旁路（以旁路形式达到去耦效果的方式，用“去耦”代替）是为了减少局部电路的外部噪声干扰。许多人倾向于把两者混淆。

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。