陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器。微调电容器调整后可固定在一定的容值，大电容通常在2pF到100pF之间变化。 陶瓷电容器结构简单、坚固，坚固可靠，适用于一般场合，广泛应用于小电容场合。陶瓷电容器的容值一般为1pf～0.27μF，电压值为25V、50V、100V，电容器的标称电压通常为直流电压。如果使用交流电压，则在电压后加上交流符号。 云母电容器的电容比陶瓷电容器小，因为云母的介电常数比陶瓷电容器小。但云母介质更容易实现产品的控制误差，且云母具有良好的高温特性。为了达到给定的容量，陶瓷比云母电容器小，所以陶瓷比云母电容器更常用。 表面安装电容器通常称为片式。它们的尺寸和形状与贴片电阻相同。其长度一般为1.27至4.57mm，具体取决于规定的性能。宽度为1.02至4.29mm，厚度为0.9至2.8mm。 电容器微调板的有效电容面积随板的有效间距而变化。它的板块有多个移动和固定的板块。通过转动动板改变极板的有效面积，从而改变电容器的容量。可变电容器极板间可用空气作介质，小型旋转电容器常用薄膜介质。薄膜可以缩短板间距，提高介电常数。旋转电容器的典型大值是从几个PFS到500pf以上。 微调电容器也可以改变容量。由于在需要精确电容才能正常工作的电路中，它们用于微调，这种被称为微调电容器，调整后可固定在一定的容值。不适合反复调试。微调电容器的大电容通常在2pF到100pF之间变化。

CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。通过小化电流环，ESL可以显著减少。 CV/g的增加与粉末粒度的减小和粉末纯度的提高有关。将这些材料用于电容设计是一个复杂的研究领域，需要大量的研发投入。降低钽电容器设计尺寸的另一个重要因素是高效封装技术的发展。行业中常用的封装技术是铅框架设计。这种结构具有很高的制造效率，可以降低成本和提高生产能力。对于不受空间限制的应用，这些设备仍然是可行的解决方案。 然而，在许多以提高密度为主要设计标准的电子系统中，能够减小元件尺寸是一个重要的优势。在这方面，制造商在包装技术方面取得了一些进展。与标准引线框架结构相比，无铅框架设计可以提高体积效率。通过减少提供外部连接所需的机械结构的尺寸，这些设备可以利用额外的可用空间来增加电容器元件的尺寸，从而增加电容值和/或电压。 在新一代封装技术中，Vishay的专利多阵列封装(MAP)结构通过在封装末端使用金属化层来提供外部连接，从而进一步提高了体积效率。该结构通过完全消除内部阳极连接，使电容元件在现有体积范围内的尺寸大化。为了进一步说明体积效率的提高，电容元件的体积增加了60（百分比）以上。这一增加可用于优化设备以增加电容和/或电压，降低DCL，并提高可靠性。 VishayMAP结构的另一个好处是减少了ESL。MAP结构可以通过消除环封装的机械引线框架来显着地减小现有电流环的大小。通过小化电流环，ESL可以显著减少。与标准引线框架结构相比，ESL的减少可高达30（百分比）。ESL的减少对应于自谐振频率的增加，这可以扩大电容的工作频率范围。