薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 薄膜电容器的结构与纸电容器相似，但当用聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚酯代替纸张作为介质时，薄膜电容器的频率特性好、介电损耗小、稳定性好、漏电流小，但不能产生大容量、不同的薄膜材料特性。薄膜电容器常用于滤波器、积分、振荡和定时电路。然而，在大多数电子电路中，纸张和薄膜电容器的电容一般小于1μF。 许多塑料薄膜电容器使用金属化电极板，这些电容器带有金属薄膜，金属板直接沉淀在薄膜上。这样，两个电极之间的距离可以尽可能小，这样电容器就可以更小、更紧凑。 单石电容器是一种体积小、容量大、可靠性高、耐高温的新型电容器，它在几块陶瓷薄膜坯上涂上粘贴电极材料，一次成一个不可分割的整体。高介电常数的低频单石电容器性能稳定，体积小，容量误差大，常用于噪声旁路、滤波、积分和振荡电路。 陶瓷电容器被挤压成高介电常数电容器的管、盘或盘，陶瓷上镀银作为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容器具有较小的正电容温度系数，用于高稳定振荡电路。小容量(小于0.1μF)的陶瓷是常见的介电材料，常见的陶瓷电容器是圆形陶瓷电容器。

由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。因此，铝电解不宜离热源太近。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响。 由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。 我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。铝电容器是由铝箔槽氧化后，再绕绝缘层，再浸入电解液中制成。它的原理是化学原理，充放电依赖于化学反应。电容对信号的响应速度受电解液中带电离子运动速度的限制，在低频（1m）电渣重熔中通常采用铝电阻和电解液等效电阻之和，且数值较大。铝电容器的电解液会逐渐挥发，导致容量下降甚至失效，蒸发速度随着温度的升高而加快。温度每升高10度，寿命就会减半。如果电容器在27℃室温下使用10000小时，在57℃下只能使用50小时。因此，铝电解不宜离热源太近。 陶瓷电容器是通过物理反应来储存电能的，因此具有很高的响应速度，可以应用于G的场合，但是由于介质的不同，陶瓷电容器也表现出很大的差异。性能好的是c0g材料的电容，温度系数小，但材料的介电常数小，所以电容值不能太大。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响（直流电压会引起材料的极化，降低电容）。